Transistor BJT

El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, es decir, puede controlar una cierta cantidad de corriente por medio de otra cantidad de corriente. Además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. El germanio y el silicio son los materiales más frecuentemente utilizados para la fabricación de los elementos semiconductores.Los transistores pueden efectuar prácticamente todas las funciones de los antiguos tubos electrónicos, incluyendo la ampliación y la rectificación, con muchísimas ventajas. 

Fig. 37. Transistor BJT

     Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.

    Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. Los tres electrodos principales son emisor, colector y base. De esta manera quedan formadas tres regiones.

• Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
• Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
• Colector, de extensión mucho mayor.

     El transistor bipolar fue el primer dispositivo activo de estado sólido. Fue inventado en 1949 en los Laboratorios Bell por W. Schockley, J. Bardeen y W. Brattain (que recibieron el premio Nobel en 1956). También se suele denominar por sus siglas inglesas BJT (bipolar junction transistor).

Fig. 38. Estructura y símbolo de un transistor bipolar npn (izquierda) y pnp (derecha).

Ventajas de los  transistores electrónicos

•  El consumo de energía es sensiblemente bajo.
•  El tamaño y peso de los transistores es bastante menor que los tubos de vacío.
•  Una vida larga útil (muchas horas de servicio).
•  Puede permanecer mucho tiempo en deposito (almacenamiento).
•  No necesita tiempo de calentamiento.
•  Resistencia mecánica elevada.
•  Los transistores pueden reproducir otros fenómenos, como la fotosensibilidad.